GaN Protect氮化鎵
將多種電力電子器件整合到一個氮化鎵芯片上，能有效提高產品充電速度、效率、可靠性和成本效益。
GaN氮化鎵是提高整個系統性能的關鍵，是創造出接近“理想開關”的電路構件，即一個能將最小能量的數字信號，轉化為無損功率傳輸的電路構件。
無論是“全橋”還是“半橋”電路設計，氮化鎵功率芯片都能夠支持。
氮化鎵功率芯片具備適用性極強的功率范圍和功能，能覆蓋移動快速充電器，數據中心、消費市場、可再生能源和電動車/電動交通工具等市場，從幾十瓦，到上千瓦的各種應用，都能突顯它的優勢！
GaN Protect 音特團隊正在研發新一代功率保護器件，嵌入模組和單獨應用！
GaN Protect 理論優勢：
體積更小：GaN Protect 器件，可實現比傳統硅器件芯片 2.7~3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。
速度更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常容易使用。通過簡單的“數字輸入、電源輸出”操作，布局和控制都很簡單。
更加環保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。
可靠：GaN Protect 器件 符合雙碳政策，更低的內阻，它將會產生更少的熱量，所以產生風險risk更低
什么是GaN Protect？ 它是音特研發團隊注冊的商標，將GaN材料用于保護器件！
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