《音特電子》為您推送
據報道，德國硅基氮化鎵專家ALLOSSemiconductors宣布與沙特阿卜都拉國王科技大學（KAUST）研究團隊達成合作，雙方將共同研發高效硅基InGaN紅色MicroLED。據了解，大晶格失配（latticemismatch）和量子限制斯塔克效應（quantum-confinedStarkeffect，QCSE）等問題限制了紅色氮基LED在實際工業應用中的使用，而ALLOS與KAUST本次合作將致力于解決這些基本問題。
圖片來源：KAUST
值得注意的是，在MicroLED顯示領域，除了藍色和綠色LED之外，MicroLED顯示還對在大尺寸晶圓上生長紅色LED有強勁的需求，目的在于降低制造復雜性和成本。
據悉，KAUST團隊此前通過采用局部應變補償（LocalStrainCompensation）和改良后的MOCVD反應器設計，在開發正向電壓（ForwardVoltage）低于2.5V且高效的InGaN基紅色MicroLED方面獲得了一些突破。他們已在藍寶石襯底和Ga2O3（氧化鎵）襯底上生長出紅色LED。
為了采用晶圓級（尤其是大尺寸晶圓）工程應變技術來開發潛在高性能紅色LED，KAUST團隊與ALLOS共同將研究工作延伸到硅襯底上。憑借能夠將晶圓片擴展到300mm以及在硅襯底產線上加工的能力，雙方的合作將加快量產進程。對于MicroLED顯示器，特別是用于AR設備的單片集成MicroLED顯示器而言，這將是另一個重要的助攻。
KAUST團隊與ALLOS將充分利用各自的專業知識來處理應變問題，優化硅基氮化鎵和紅色LED的晶體生長條件，進而實現在硅基氮化鎵緩沖層上生長紅色LED堆棧（Stack）。
熱門新聞
Global
