1. 共模電感的自諧振頻率如何影響其濾波效果？
答：共模電感的自諧振頻率（SRF）由電感和寄生電容決定。當噪聲頻率接近SRF時，阻抗達到峰值，濾波效果最佳；超過SRF后，寄生電容主導，阻抗下降，濾波性能惡化。設計時需確保SRF高于目標噪聲頻段
2. 共模電感的 Q 值對噪聲抑制有什么具體影響？
答：高Q值（品質因數）表示儲能能力強，但在諧振點附近會產生尖銳阻抗峰，可能導致特定頻段噪聲抑制過度或不足。低Q值提供更平緩的頻響，適合寬頻噪聲抑制，但峰值阻抗降低
3. 不同繞線方式下，共模電感的寄生電容差異有多大？
答：并繞：匝間電容大，寄生電容可達數10pF
分槽繞制：減少匝間耦合，寄生電容可降低30%-50%
多層繞線：層間電容主導，寄生電容比單層高2-3倍
4. 共模電感的漏感是如何產生的？漏感過大會有什么問題？
答：漏感由磁通未完全耦合導致（如繞組不對稱、磁芯間隙）
漏感過大會，轉化為差模電感，影響信號完整性，導致高頻振蕩，增加EMI風險，降低共模抑制比
5. 磁芯的磁導率溫度系數對共模電感性能有何影響？
答：磁導率溫度系數（如鐵氧體約-0.2%/℃）會導致：高溫下電感量下降，濾波性能漂移，極端溫度可能引起磁芯飽和，需選擇寬溫穩定材料（如Mn-Zn鐵氧體）?
6. 共模電感在高頻下的阻抗曲線為何會出現 "平臺區"？
答：平臺區（通常>10MHz）由以下因素導致：寄生電容與電感形成等效LC網絡，磁芯材料高頻損耗（μ"分量增加），繞組趨膚效應和鄰近效應
7. 雙繞組的對稱性偏差允許范圍是多少？超過會有什么后果？
答：?一般要求對稱度誤差<5%（如電感量偏差、匝數差）
超差會導致：共模轉差模噪聲、電流不平衡加劇、可能引發磁芯偏置飽和
8. 共模電感的直流疊加特性如何測試？
答：恒流源法：施加額定DC電流，測量電感量衰減曲線（通常用LCR表），
臨界飽和點測試：逐步增加DC直至電感量下降10%-20%，需控制溫升（ΔT≤25℃）
9. 磁芯的氣隙設計對共模電感的飽和特性有何作用？
答：?氣隙可提高抗飽和能力（降低有效磁導率），但會減少電感量（約與氣隙長度成反比），典型氣隙設計為0.1-0.5mm（針對功率應用）磁芯氣隙（在磁芯磁路中預留微小間隙）可降低磁芯的有效磁導率，增大磁芯的飽和磁通密度
無氣隙時，磁芯易在較小的直流或交流磁通下飽和，導致電感值急劇下降，失去濾波能力；
有氣隙時，磁芯抗飽和能力增強，可承受更大的直流電流或交變磁通，確保在大電流場景（如電源輸入回路）中電感值保持穩定，維持濾波效果
10. 共模電感的損耗角正切值（tanδ）反映了什么性能？?
答：損耗角正切值（tanδ=Rs/|Xs|）反映：磁芯損耗（磁滯+渦流），交流電阻（高頻趨膚效應），優質共模電感tanδ應<0.1（@1MHz），tanδ 越大，說明磁芯能量損耗越大：
① 高頻下會導致電感發熱，降低效率，甚至因溫升過高影響可靠性
② 損耗大意味著噪聲能量被吸收的能力較強，但過度損耗可能削弱電感的阻抗特性，反而降低濾波效果。因此，需平衡 tanδ 值，在抑制噪聲與控制溫升間找到最優解（高頻場景通常需低 tanδ 磁芯
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