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反向漏電流IR的來源包括：

1.  耗盡區的少子漂移電流-溫度升高時顯著增大
2.  PN結表面的漏電流（受鈍化層質量影響）
3.  摻雜不均勻導致的局部電場集中電流
4.  ESD管的IR通常設計為 < 1μA（25℃時），避免影響被保護電路的靜態工作點

• 耗盡區的少子漂移電流，如何理解？

     核心關鍵解析

1. 少子的來源：少子是PN結兩側的少數載流子（P區的電子、N區的空穴），由熱激發產生，數量遠少于多子，但始終存在
2. 漂移的動力：耗盡區存在自建電場（方向從N區指向 P區），會對少子產生定向作用力----負電的電子被推向N區，正電的空穴被推向P區
3. 電流的形成：少子在電場力驅動下穿過耗盡區的定向運動，就是漂移運動，大量少子的這種運動疊加，就形成了少子漂移電流

• PN結表面的漏電流（受鈍化層質量影響）

     核心影響維度

1. 缺陷密度：鈍化層（如 SiO?、SiN?）若存在孔隙、雜質或晶格缺陷，會成為載流子“通道”；這些缺陷會降低載流子復合勢壘，讓表面少子更容易穿越，直接增大漏電流
2. 覆蓋完整性：鈍化層若存在針孔、開裂或覆蓋不連續，會導致PN結表面暴露在外界環境中；暴露區域會形成表面態，引發載流子不規則輸運，同時外界雜質易滲入，進一步加劇漏電流
3. 界面態密度：鈍化層與PN結表面的界面若存在大量懸掛鍵、缺陷態，會成為載流子復合中心和輸運路徑；界面態密度越低，載流子被捕獲和輸運的概率越小，漏電流越容易被抑制

• 摻雜不均勻，如何導致的局部電場集中電流？

     核心邏輯拆解

1. 摻雜不均導致濃度梯度：摻雜過程中若出現局部區域雜質濃度偏高（如擴散不均、離子注入偏移），會與周邊低濃度區域形成明顯的雜質濃度差
2. 濃度梯度催生局部電場：高摻雜區多子濃度遠高于低摻雜區，載流子的擴散趨勢會打破局部電中性，進而形成從高濃度區指向低濃度區的額外電場
3. 電場引導電流集中：局部電場會對載流子產生定向驅動力，同時高摻雜區電阻更低，載流子更易在此處聚集并定向流動，最終導致電流集中在高摻雜局部區域

綜上所述，ESD二極管的IR漏電流是產品的特性和硅材料的工藝綜合因素導致！

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