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TVS 瞬態抑制二極管 ESD 靜電保護元件 PPTC 自恢復保險絲 TSS 半導體放電管 GDT 氣體放電管 SBR 肖特基二極管 MOV 壓敏電阻 NTC 熱敏電阻 eFuse電子保險絲 *New*
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SPD防雷模組
電源防雷器 PSPD 信號防雷器 SSPD 監控防雷器 PSSPD Signal 信號保護防雷模組
Cross Reference 競品對照
ESD系列 TVS系列 ZNO 壓敏電阻 GDT 氣體放電管 PPTC 自恢復保險絲
首頁 產品選型 PowerDevices功率器件 MOSFET
N MOS
功能介紹

先進的工藝制造技術、更優的工藝條件、優化設計結構

低產品導通電阻、優化開關特性

高可靠性、全方位評估體系保證產品質量

電機驅動、電池管理系統、負載開關、通信等工業或超工業級應用場景

多樣化的貼片封裝形式：DFN3.3*3.3、DFN5*6、SOT-23、SOT-523、SOT-223、SOT-89、

多樣化的插件封裝形式：TO-247、TOLL、TO-263、TO-220、TO-252、TO-251、SOP-8、

專業、專注細分市場的產品特性研究、開發符合行業特色的產品

產品規格
相關產品
TOLL MOS
OLL MOSFET系列采用先進的晶體管外形無引線封裝（TOLL），顯著提升功率密度與電氣性能。其緊湊設計（9.90×11.68 mm2，高度2.3 mm）較傳統TO-263減少30% PCB占板面積及60%體積，適配高密度電源設計36。全系列具備超低導通電阻（最低0.77 mΩ）與寄生電感（2 nH），支持300A以上持續電流，大幅降低開關損耗并優化EMI表現46。鍍錫焊盤與開爾文源極結構增強散熱能力（熱阻低至0.35 K/W），支持175°C高溫運行及自動光學檢測（AOI），符合AEC-Q101車規認證1710。適用于電動汽車DC-DC轉換、儲能系統、服務器電源及圖騰柱PFC等高可靠性場景，助力能效提升至97%以上
P MOS
P溝道MOSFET系列提供高性能功率管理解決方案，覆蓋-20V至-150V寬電壓范圍，滿足工業、汽車及消費電子嚴苛需求689。產品采用先進溝槽技術，實現超低導通電阻（最低1.8mΩ@VGS=-10V），顯著降低導通損耗并提升系統能效46。支持-3A至-85A寬電流范圍及高脈沖電流能力（-240A），確保高負載場景下的穩定性278。低柵極電荷（典型值7nC）與快速開關特性（td(on)≤15ns），優化高頻PWM與電源轉換應用36。封裝兼容SOT-23、TO-252等緊湊設計，符合AEC-Q101認證，適用于藍牙耳機音頻放大、電池保護、DC-DC轉換及空間級高可靠性系統7910。
MOS 軍工級
軍工級MOSFET MOS系列產品，嚴格遵循MIL-PRF-19500及JAN認證標準，專為極端環境設計。全系列采用密封TO-205AD（TO-39）、陶瓷LCC等封裝，支持-55℃至+175℃寬溫工作范圍，耐受325℃峰值加工溫度，確保航空航天、衛星電源及軍用裝備的高可靠性需求158。器件具備抗輻射性能（TID 100krad~300krad，LET 87 MeV·cm2/mg），有效抵御空間粒子干擾36。特性包括：1200V/60V高壓支持、40mΩ~5Ω超低導通電阻、8ns高速開關，適配DC-DC轉換、電機驅動及固態繼電器應用510。提供雙向瞬態電壓抑制，集成體二極管保護，顯著提升系統穩定性與壽命