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PoC 電感器 3225 尺寸系列正式量產，賦能車載智能高速互聯
2025-03-15
       公司電感器POC 3225 系列的研發及量產準備，該產品于 2025 年 2 月正式投放市場，專為高級駕駛輔助系統（ADAS）及車載攝像頭網絡設計，以 3.2mm×2.5mm 的緊湊尺寸實現業內領先的寬頻帶性能與高可靠性，助力汽車線束輕量化與高速數據傳輸   POC 3225 系列采用創新的雙繞組結構設計，在 1MH
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功率MOSFET在光伏優化器的失效模式？
2023-06-18
MOSFET在光伏優化器中可能出現的失效模式包括以下幾種：1. 功率MOSFET過熱：如果功率MOSFET長時間工作在高負載下，可能會導致器件溫度過高，超過其額定溫度范圍，從而失效。2. 粗糙開關：當功率MOSFET開關頻率較高時，可能會出現開關過程中由于器件內部電荷積累的不足而導致的電流間斷或閃爍現象，這稱為粗糙開關。長時間的粗糙開關操作可能導致MOSFET失效。3.&nbs
什么是碳化硅的離子注入？選擇性摻雜技術又是講什么？
2023-06-18
碳化硅的離子注入是一種技術，用于在碳化硅材料中引入特定的雜質原子。離子注入通常通過高能離子束將所需的摻雜物注入到碳化硅晶體中。離子注入過程包括以下步驟：1. 選擇要注入的目標雜質原子，通常是硼（B）、氮（N）或磷（P）等。2. 準備碳化硅襯底和膜層，以便承載和保護離子注入過程。3. 使用離子注入機將高能離子束引入碳化硅材料。離子束會穿過膜層并注入到碳化硅晶體中。4.&
平面MOSFET和超結MOSFET 兩者的差別？ 電路設計使用時注意哪些問題？
2023-06-18
平面MOSFET和超結MOSFET是兩種不同的MOSFET結構，它們有一些差異。1. 結構差異：- 平面MOSFET：平面MOSFET是最常見的MOSFET結構，由三個主要區域組成：柵極、通道和漏極。柵極和漏極之間有一個絕緣層，用于控制通道的導電性。- 超結MOSFET：超結MOSFET是一種特殊設計的MOSFET，具有額外的特殊結構，即超結。超結結構通常是通過薄膜沉
碳化硅的 Mosfet，如何更好解決靜電問題？
2023-06-18
碳化硅的MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）相比傳統硅MOSFET具有更高的擊穿電場強度和較低的漏電流，因此在一定程度上能夠更好地抵御靜電問題。然而，為了進一步解決靜電問題，以下是一些常見的方法：1. 設計合適的保護電路：在MOSFET的輸入和輸出端進行靜電保護設計，例如使用TVS二極管或靜
MOSFET的電流與電壓的簡要關系？
2023-06-18
在MOSFET（金屬-氧化物-半導體場效應晶體管）中，電流和電壓之間存在一定的關系。MOSFET的電流與柵極電壓和漏極電壓相關，可以通過以下幾個關鍵參數來描述：1. 閾值電壓（Threshold Voltage，Vth）：當柵極電壓大于等于閾值電壓時，MOSFET開始導通。在Vth之下，MOSFET處于截止狀態，導通電流非常小。2. 開啟電壓（Turn-On 
碳化硅的特性和發展歷史？
2023-06-18
碳化硅（Silicon Carbide，簡稱SiC）是一種廣泛應用于半導體、電力電子器件和耐高溫材料的材料。以下是碳化硅的特性和發展歷史的簡要概述：特性：1. 高溫特性：碳化硅可以在高溫下運行，具有更好的熱傳導性和高溫穩定性，可達到1500°C以上的工作溫度。2. 高電子遷移率：碳化硅具有較高的電子遷移率，可以實現高速、高功率的電子器件設計。3. 高
硅半導體PN結是什么？
2023-06-17
PN通常指的是正負“正極-負極”結構，即正極（P區）和負極（N區）之間的結構
MediaTek聯發科全大核天璣9300蓄勢待發
2023-06-17
搭載了聯發科最新型號的旗艦芯天璣9200+，其iQOO Neo8 Pro 1TB版本正式開售，并在5月安卓手機性能榜中力壓群雄登頂第一，為用戶提供了大內存高性能的旗艦體驗。 但這應該只是今年旗艦機發力的開始，據傳聞年底繼天璣9200+后聯發科還將重磅推出旗艦芯天璣9300，該芯會主打“全大核”CPU架構，不僅性能方面可以跟A17碰一碰，就連功耗也能降低50%以上，可以
TVS瞬態抑制二極管的玻璃鈍化和O酸洗工藝差異？ 為何要加SIPOS工藝？
2023-06-15
TVS瞬態抑制二極管，玻璃鈍化與OJ酸洗工藝的差異？ 1. 玻璃鈍化和酸洗OJ工藝兩者都是用于保護TVS PN結表面不受氧化和腐蝕的工藝。 2. TVS瞬態抑制二極管通常由硅材料制成，這是因為硅材料具有許多優點，如具有較低的測量電流和較高的耐壓能力。它們可以通過改變材料的摻雜濃度來調節電壓閾值。 3. 玻璃鈍化是一種在硅表面形成一層玻璃薄膜的工藝，目的是隔絕硅表面和外界空氣中的氧氣，防止氧化
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