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一：理論基礎：結電容（Cj）包括耗盡層電容(rong)（Cd） 和(he)擴散電容(rong)（Cs）

Cj= Cd+Cs

ESD 管反(fan)向偏置時（未擊(ji)穿），Cs可忽略，Cj≈Cd，其(qi)大小(xiao)與PN結面積(ji)A成(cheng)正比，與耗盡區寬度(du)W成(cheng)反(fan)比

Cd=εA/W，ε為半導體介電常數

二: 什(shen)么叫耗(hao)盡(jin)層電容（Cd）

• 形(xing)(xing)成(cheng)基(ji)礎(chu)：PN結反(fan)向偏置時(shi)會(hui)形(xing)(xing)成(cheng)耗盡(jin)層(ceng)，空間電(dian)荷區的電(dian)荷會(hui)隨外加電(dian)壓變化，這種電(dian)荷變化特(te)性等效為電(dian)容。
• 影(ying)響因素：主要和PN結面積、半導體摻雜濃(nong)度(du)、反(fan)向偏(pian)壓(ya)相關，反(fan)向偏(pian)壓(ya)越(yue)大，Cd通常越(yue)小
• 實際意義：Cd會影(ying)響ESD二(er)極管的(de)高頻響應，是高速電路(lu)選型時的(de)重要(yao)考量參數

三: 什么叫擴散電容（Cs）

• 形成基礎：正(zheng)向偏(pian)壓(ya)下，多子(zi)(zi)會注(zhu)入對方區域并存儲，這些存儲載流子(zi)(zi)的數量隨電(dian)(dian)壓(ya)變化，等效為電(dian)(dian)容特性
• 影響因素：主要和正向電流(liu)大小(xiao)、少(shao)數(shu)載流(liu)子壽命、溫度(du)相(xiang)關，正向電流(liu)越大，Cs通常(chang)越大。
• 實際意義(yi)：Cs主要影響二極管低頻(pin)(pin)到中頻(pin)(pin)的(de)響應(ying)，ESD防護場景中，高頻(pin)(pin)應(ying)用下其(qi)影響遠小(xiao)于耗盡層電容（Cd）

ESD參數表：//yxgc.net/products/emsproduct/esd/index.html

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